功率场效应晶体管以及对应封装、系统及制造方法

摘要

本发明涉及一种功率FET，其包括半导体芯片(500)，所述半导体芯片具有各自并联耦合的多个源极及漏极触点(506a到506c、504a到504c)以及彼此分离的多个栅极区，其中每一栅极区连接到单独接合垫(502a到502c)。通过将功率FET的栅极分段成若干独立栅极区，控制器可选择所述FET的使用程度。例如针对切换模式应用，通过基于电流负载而动态地选择所述功率FET的大小，跨越操作的整个范围的总体效率可在不具有额外装置的情况下优化。

主权项

一种功率场效应晶体管，其包括：半导体芯片，其具有各自并联耦合的多个源极及漏极触点以及彼此分离的多个栅极区，其中每一栅极连接到单独接合垫。