| 发明名称 | 光电子半导体构件 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种光电子半导体构件(100)，具有：具有辐射退耦面(6)的至少一个发射辐射的半导体芯片(3)，在半导体芯片(3)中产生的电磁辐射的至少一部分通过辐射退耦面离开所述半导体芯片(3)；至少一个转换元件(4)，其设置在半导体芯片(3)的下游，在半导体芯片的辐射退耦面(6)上，用于转换由半导体芯片发射的电磁辐射，并且转换元件具有背离辐射退耦面的第一表面(7)；反射的包封物(5)，其中反射的包封物包围半导体芯片(3)，并且至少局部地在侧面上形状接合地包围转换元件，转换元件(4)的第一表面(7)没有反射的包封物，反射的包封物是浇注件，反射的包封物在垂直于侧面的方向上的伸展大于1000μm。 | ||
| 申请公布号 | CN105023999A | 申请公布日期 | 2015.11.04 |
| 申请号 | CN201510315781.8 | 申请日期 | 2010.11.17 |
| 申请人 | 欧司朗光电半导体有限公司 | 发明人 | 格特鲁德·克劳特;贝恩德·巴克曼;克里斯特·贝格内克;约翰·拉姆琴科;迈克尔·齐茨尔斯佩格 |
| 分类号 | H01L33/56(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/56(2010.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 丁永凡;张春水 |
| 主权项 | 一种光电子半导体构件(100)，所述光电子半导体构件具有：‑具有辐射退耦面(6)的至少一个发射辐射的半导体芯片(3)，在所述半导体芯片(3)中产生的电磁辐射的至少一部分通过所述辐射退耦面离开所述半导体芯片(3)；‑至少一个转换元件(4)，所述转换元件设置在所述半导体芯片(3)的下游，在所述半导体芯片的所述辐射退耦面(6)上，用于转换由所述半导体芯片(3)发射的电磁辐射，并且所述转换元件具有背离所述辐射退耦面(6)的第一表面(7)；‑反射的包封物(5)，其中‑所述反射的包封物(5)包围所述半导体芯片(3)，并且至少局部地在侧面(33、44)上形状接合地包围所述转换元件，‑所述转换元件(4)的所述第一表面(7)没有所述反射的包封物(5)，所述反射的包封物(5)是浇注件，并且‑所述反射的包封物(5)在垂直于所述侧面(33、44)的方向上的伸展大于1000μm。 | ||
| 地址 | 德国雷根斯堡 | ||