具有发光层多量子阱过渡层的LED外延结构

摘要

具有发光层多量子阱过渡层的LED外延结构，涉及发光二极管技术领域。本实用新型有源区包括多量子阱层和生长在多量子阱层上的发光层多量子阱层。所述多量子阱层包括In_XGa_1-XN阱层和生长在In_XGa_1-XN阱层上的GaN垒层。所述发光层多量子阱层包括发光层阱层和生长在发光层阱层上的发光层垒层。所述发光层阱层和发光层垒层交替生长，生长周期为5-20个周期。所述发光层阱层包括从下至上依次生长的In组分不同的In_XGa_1-XN层且0<x<1、In_yGa_1-yN过渡层且0<y<x和GaN过渡层。本实用新型是在发光层多量子阱中引入In组分降低的过渡层，发光层多量子阱结构中阱层In组份的依次减小可以缓解由高In组份InGaN突然转到GaN的生长过程中产生的应力，减小极化效应，提高量子阱的晶体质量，增加复合几率。

主权项

具有发光层多量子阱过渡层的LED外延结构，它从下至上依次包括图形化衬底（1）、GaN缓冲层（2）、U型GaN层（3）、N型GaN层（4）、有源区、电子阻挡层（7）和P型GaN层（8），其特征在于：所述有源区包括多量子阱层（5）和生长在多量子阱层（5）上的发光层多量子阱层（6），所述多量子阱层（5）包括In_XGa_1‑XN阱层（51）和生长在In_XGa_1‑XN阱层（51）上的GaN垒层（52），所述发光层多量子阱层（6）包括发光层阱层（61）和生长在发光层阱层（61）上的发光层垒层（62），所述发光层阱层（61）和发光层垒层（62）交替生长，生长周期为5‑20个周期，所述发光层阱层（61）包括从下至上依次生长的In组分不同的In_XGa_1‑XN层（611）且 0<x<1、In_yGa_1‑yN过渡层（612）且0< y<x和GaN过渡层（613)。