碳化硅半导体装置

摘要

本发明提供能够使切换时产生的电场集中缓和的碳化硅半导体装置。碳化硅半导体装置具备：第一导电型的碳化硅半导体层；场绝缘膜，其形成于碳化硅半导体层的表面上；肖特基电极，其在碳化硅半导体层的表面上形成为比场绝缘膜靠内周侧，并且形成为攀升至场绝缘膜；表面电极，其将肖特基电极覆盖，越过肖特基电极的外周端而在场绝缘膜上延伸；以及第二导电型的终端阱区域，其在碳化硅半导体层内的上部形成为与肖特基电极的一部分相接，在碳化硅半导体层内比表面电极的外周端向外周侧延伸，表面电极的外周端存在于比终端阱区域的外周端向内侧大于或等于15μm处。

主权项

一种碳化硅半导体装置，其特征在于，具备：第一导电型的碳化硅半导体层；场绝缘膜，其形成于所述碳化硅半导体层的表面上；肖特基电极，其在所述碳化硅半导体层的表面上形成为比所述场绝缘膜靠内周侧，并且该肖特基电极形成为外周端攀升至所述场绝缘膜；表面电极，其将所述肖特基电极覆盖，越过所述肖特基电极的所述外周端而在所述场绝缘膜上延伸；第二导电型的终端阱区域，其在所述碳化硅半导体层内的上部形成为与所述肖特基电极的一部分相接，在所述碳化硅半导体层内比所述表面电极的外周端向外周侧延伸；以及第二导电型的高浓度终端阱区域，其形成于所述终端阱区域内，第二导电型的杂质浓度高于所述终端阱区域，所述表面电极的外周端存在于比所述终端阱区域的外周端向内侧大于或等于15μm处。