发明名称 |
一种用于集成电路的过流保护电路 |
摘要 |
本发明一种用于集成电路的过流保护电路,电源输入端电流经过电阻R2转化为电压量,电压量送至比较器U1A;电压量与比较器U1A的比较电压进行比较,判别集成电路是否处于过流状态,一旦处于过流状态,比较器U1A输出控制电压到MOSFET管切断Q2的导通,并将电阻R13和电容C2连接端的电压抬高,从而抑制电流的继续增大,当电流减小为0后,电压量恢复到电源输入电压,比较器U1A停止输出控制电压,此时电阻R13和电容C2公共端的电压仍能使得MOSFET管Q2处于关断状态,等到电容C2通过电阻R13将电荷泄放至电压小于MOSFET管Q2的导通阈值电压时,集成电路重新开始加电工作。 |
申请公布号 |
CN105024337A |
申请公布日期 |
2015.11.04 |
申请号 |
CN201510439010.X |
申请日期 |
2015.07.24 |
申请人 |
西安空间无线电技术研究所 |
发明人 |
蔡春贵;张亢;钟兴旺;王登峰;踪念科;张攀 |
分类号 |
H02H3/08(2006.01)I;H02H3/06(2006.01)I;H02H9/02(2006.01)I |
主分类号 |
H02H3/08(2006.01)I |
代理机构 |
中国航天科技专利中心 11009 |
代理人 |
陈鹏 |
主权项 |
一种用于集成电路的过流保护电路,其特征在于:包括电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电阻R12、电阻R13、电容C1、电容C2、比较器U1A、二极管D15、MOSFET管Q2;电源输入端分别接至电阻R2的一端以及电阻R4的一端;电阻R2的另一端分别接至电阻R3的一端以及MOSFET管Q2的源级;电阻R3的另一端分别接至电容C1的一端以及比较器U1A的负输入端;电容C1的另一端接地;电阻R4的另一端分别接至电阻R5的一端以及比较器U1A的正输入端;电阻R5的另一端接地;比较器U1A的输出端经电阻R6后接至二极管D15的阳极,二极管D15的阴极分别接至电阻R12的一端、电阻R13的一端以及电容C2的一端;电阻R13的另一端以及电容C2的另一端均接地;电阻R12的另一端接至MOSFET管Q2的栅极;MOSFET管Q2的漏极作为整个电路的输出接至外部集成电路;电源输入端电流经过电阻R2转化为电压量,电压量送至比较器U1A的负输入端;电压量与比较器U1A正输入端的比较电压通过比较器U1A进行比较,判别集成电路是否处于过流状态,一旦处于过流状态,比较器U1A输出控制电压到MOSFET管Q2的栅极切断MOSFET管Q2的导通,并将电阻R13和电容C2连接端的电压抬高,从而抑制电流的继续增大,当电流减小为0后,电压量恢复到电源输入电压,比较器U1A停止输出控制电压,此时电阻R13和电容C2公共端的电压仍能使得MOSFET管Q2处于关断状态,等到电容C2通过电阻R13将电荷泄放至电压小于MOSFET管Q2的导通阈值电压时,集成电路重新开始加电工作。 |
地址 |
710100 陕西省西安市长安区西街150号 |