发明名称 |
一种DV/DT检测与保护装置及方法 |
摘要 |
本发明公开了一种DV/DT检测与保护装置及方法,包括:DV/DT检测电路,用于检测DV/DT的电压变化量;该电路包括若干个高压MOS管、电阻、箝位二极管及寄生电容,其中高压MOS管栅端接入输入信号,该高压MOS管的漏端连接电阻且源端接公共地;所述电阻的两端连接箝位二极管;所述寄生电容连接于高压MOS管的漏端和源端之间;DV/DT比较电路,用于根据所述电压变化量确定电压变化量所属DV/DT级别,及配置用于控制输出驱动调整电路工作模式的信号;输出驱动调整电路,用于根据控制信号调整及输出不同工作模式下的驱动能力,以确保功率器件工作在安全DV/DT范围内。本发明电路实现方式简单,可靠性和集成度高,不需要额外的外围器件,适用于桥式电路、智能功率模块等各种应用。 |
申请公布号 |
CN105024531A |
申请公布日期 |
2015.11.04 |
申请号 |
CN201510449440.X |
申请日期 |
2015.07.28 |
申请人 |
周海波 |
发明人 |
金学成;潘建斌 |
分类号 |
H02M1/088(2006.01)I |
主分类号 |
H02M1/088(2006.01)I |
代理机构 |
南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 |
代理人 |
任立 |
主权项 |
一种DV/DT检测与保护装置,其特征在于,包括:DV/DT检测电路,用于检测DV/DT的电压变化量;该电路包括若干个高压MOS管、电阻、箝位二极管及寄生电容,其中高压MOS管的栅端接入输入信号,该高压MOS管的漏端连接电阻且源端接公共地;所述电阻的两端连接箝位二极管;所述寄生电容连接于高压MOS管的漏端和源端之间;DV/DT比较电路,用于根据所述电压变化量确定电压变化量所属DV/DT级别,及根据DV/DT级别配置用于控制输出驱动调整电路工作模式的信号;输出驱动调整电路,用于根据控制信号配置工作模式及输出驱动能力,以确保功率器件工作在安全DV/DT范围内。 |
地址 |
210011 江苏省南京市鼓楼区中山北路611号A座702室 |