一种氮化镓自支撑衬底的制备方法

摘要

本发明适用于材料制备领域，提供了一种氮化镓自支撑衬底的制备方法，所述方法包括如下步骤：利用电子束蒸发、电化学腐蚀和刻蚀制备出均匀分布的氮化镓纳米柱状阵列，然后再置于反应腔内生长氮化镓膜。此氮化镓自支撑衬底的制备方法降低了氮化镓外延层的位错密度，且位错密度分布均匀，同时有利于氮化镓自支撑衬底剥离。此方法对设备要求低，简单易行，科学实验和批量生产均可采用。

主权项

一种氮化镓自支撑衬底的制备方法，其特征在于，所述方法包括下述步骤：制备氮化镓模板；在所述氮化镓模板上形成一层铝层；对铝层进行电化学腐蚀后再放入酸性溶液中浸泡，形成多孔阳极氧化铝薄膜；向所述多孔阳极氧化铝薄膜的孔内沉积掩膜，所述掩膜的材质为金属镍，厚度为5‑50nm；除去多孔阳极氧化铝薄膜，在所述氮化镓模板上形成掩膜点阵；对带有掩膜点阵的氮化镓模板进行刻蚀；用硝石酸:氢氟酸＝1:3的混合溶液除去掩膜，得到氮化镓纳米柱状阵列；在氮化镓纳米柱状阵列上生长氮化镓膜，所述在氮化镓纳米柱状阵列上生长氮化镓膜是采用氢化物气相外延方法，外延层将沿着纵向与横向同时生长，经过横向外延生长连接成完整的所述氮化镓膜，并在所述氮化镓膜的底部留存孔隙。