利用编程定序器的闪存器件和系统，以及编程方法

摘要

一种用于非易失性存储器件的编程方法，包括：执行LSB编程操作编程全部LSB逻辑页面，之后执行MSB编程操作编程全部MSB逻辑页面，其中，在LSB编程操作期间，将选择的MLC编程为负中间编程状态。用于LSB和MSB编程操作的编程序列相对于字线的排列次序可以是顺序的或非顺序的。

主权项

一种用于非易失性存储器件的编程方法，所述非易失性存储器件包括排列成多个物理页面PP的多电平存储单元MLC，每个PP分别与以连贯的排列次序布置的N个字线WL中的一个相关联，MLC进一步排列成多个逻辑页面LP，其中，每个PP包括最高有效位MSB LP和最低有效位LSB LP，所述方法包括：执行LSB编程操作，对全部LSB LP进行编程，之后执行MSB编程操作，对全部MSB LP进行编程，其中，在LSB编程操作期间，将连接在选择的字线和选择的位线之间的选择的MLC编程为负的中间编程状态，其中，负的中间编程状态中，由负的验证电压将阈值电压分布与下一个更低的阈值电压分布进行区分，其中，执行MSB编程操作包括：在MSB位线设置时段期间，将大于中间编程状态的阈值电压分布的电源电压施加到所述N个字线；在Vpass使能时段期间，将Vpass电压施加到所述N个字线；以及之后，在MSB编程执行时段期间，在将重复的编程电压施加到选择的字线的同时继续将Vpass电压施加到除所述选择的字线以外的未选择的字线，其中每次将编程电压重复施加到选择的字线包括：施加对初始阈值电压分布和第一阈值电压分布进行区分的第一编程验证电压，施加对第一阈值电压分布和第二阈值电压分布进行区分的第二编程验证电压，以及施加对第二阈值电压分布和第三阈值电压分布进行区分的第三编程验证电压，其中，至少第一编程验证电压为负。