| 发明名称 | Li<sub>2</sub>In<sub>2</sub>SiS<sub>6</sub>化合物、Li<sub>2</sub>In<sub>2</sub>SiS<sub>6</sub>非线性光学晶体及制法和用途 | ||
| 摘要 | 本发明涉及Li<sub>2</sub>In<sub>2</sub>SiS<sub>6</sub>化合物、Li<sub>2</sub>In<sub>2</sub>SiS<sub>6</sub>非线性光学晶体及制法和用途；该Li<sub>2</sub>In<sub>2</sub>SiS<sub>6</sub>化合物采用固相反应制备；Li<sub>2</sub>In<sub>2</sub>SiS<sub>6</sub>非线性光学晶体采用高温熔体自发结晶法或坩埚下降法生长；在该Li<sub>2</sub>In<sub>2</sub>SiS<sub>6</sub>非线性光学晶体的生长中晶体易长大且透明无包裹，具有生长速度较快，成本低，容易获得较大尺寸晶体等优点；所得Li<sub>2</sub>In<sub>2</sub>SiS<sub>6</sub>非线性光学晶体具有比较宽的透光波段，硬度较大，机械性能好，不易碎裂和潮解，易于加工和保存等优点；该Li<sub>2</sub>In<sub>2</sub>SiS<sub>6</sub>非线性光学晶体可用于制作非线性光学器件。 | ||
| 申请公布号 | CN103290480B | 申请公布日期 | 2015.11.04 |
| 申请号 | CN201210048486.7 | 申请日期 | 2012.02.27 |
| 申请人 | 中国科学院理化技术研究所 | 发明人 | 姚吉勇;尹文龙;冯凯;郝文钰;傅佩珍;吴以成 |
| 分类号 | C30B29/46(2006.01)I;C04B35/547(2006.01)I;C04B11/00(2006.01)I;G02F1/355(2006.01)I | 主分类号 | C30B29/46(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京法思腾知识产权代理有限公司 11318 | 代理人 | 杨小蓉;杨青 |
| 主权项 | 一种Li<sub>2</sub>In<sub>2</sub>SiS<sub>6</sub>非线性光学晶体，该Li<sub>2</sub>In<sub>2</sub>SiS<sub>6</sub>非线性光学晶体不具有对称中心，属单斜晶系，空间群为Cc，其晶胞参数为：<img file="FDA0000723641050000011.GIF" wi="686" he="72" /><img file="FDA0000723641050000012.GIF" wi="492" he="74" />β＝110.06°。 | ||
| 地址 | 100190 北京市海淀区中关村北一条2号 | ||