| 发明名称 | 晶圆上芯片封装件及其形成方法 | ||
| 摘要 | 根据实施例，本发明提供了一种封装件，该封装件包括第一器件封装件以及设置在第一器件封装件上方的扇出型RDL。扇出型RDL延伸超过第一器件封装件的边缘。第一器件封装件包括具有设置在第一衬底上的第一再分布层(RDL)的第一管芯、具有设置在第二衬底上的第二RDL的第二管芯、位于第一管芯上方并且沿着第二管芯的侧壁延伸的隔离材料、以及导电通孔。第一RDL接合至第二RDL，并且第一管芯和第二管芯包括不同的横向尺寸。导电通孔的至少一部分从隔离材料的顶面延伸至与第一RDL中的第一导电元件接触。 | ||
| 申请公布号 | CN105023917A | 申请公布日期 | 2015.11.04 |
| 申请号 | CN201410848122.6 | 申请日期 | 2014.12.31 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 余振华;陈明发;叶松峯 |
| 分类号 | H01L25/065(2006.01)I;H01L23/48(2006.01)I;H01L21/98(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L25/065(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人 | 章社杲;李伟 |
| 主权项 | 一种封装件，包括：第一器件封装件，包括：第一管芯，具有设置在第一衬底上的第一再分布层(RDL)；第二管芯，具有设置在第二衬底上的第二RDL，所述第一RDL接合至所述第二RDL，其中，所述第一管芯和所述第二管芯包括不同的横向尺寸；隔离材料，位于所述第一管芯上方并且沿着所述第二管芯的侧壁延伸；以及导电通孔，其中，所述导电通孔的至少一部分从所述隔离材料的顶面延伸至与所述第一RDL中的第一导电元件接触；以及扇出型RDL，设置在所述第一器件封装件上方，其中，所述扇出型RDL延伸超过所述第一器件封装件的边缘。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹 | ||