| 发明名称 | 具有低电阻栅极结构的多鳍片鳍式场效晶体管 | ||
| 摘要 | 本发明的实施例提供具有低电阻栅极结构的多鳍片鳍式场效晶体管(finFET)。金属化线形成平行于栅极，且多个接点形成于鳍片上方，以连接该金属化线至该栅极。该金属化线提供减少的栅极电阻，使得能使用较少晶体管来提供输入-输出(IO)功能，从而提供省下的空间而能够增加电路密度。 | ||
| 申请公布号 | CN105023947A | 申请公布日期 | 2015.11.04 |
| 申请号 | CN201510208212.3 | 申请日期 | 2015.04.28 |
| 申请人 | 格罗方德半导体公司 | 发明人 | G·布赫;A·C-H·魏 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/10(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人 | 程伟;王锦阳 |
| 主权项 | 一种半导体结构，其包括：半导体基板；多个鳍片，其形成于该半导体基板中；栅极，其设置于该多个鳍片上方；多个接点，其直接实体接触该栅极并直接于该多个鳍片上方；以及金属化线，其设置于该多个接点上方，其中该金属化线电气接触该多个接点。 | ||
| 地址 | 英属开曼群岛大开曼岛 | ||