半导体薄膜晶体管及其制造方法以及显示装置及其背板

摘要

本发明涉及一种半导体薄膜晶体管及其制造方法以及具有该半导体薄膜晶体管的显示装置及其背板。该半导体薄膜晶体管包括第一基底、第一栅极、第一源极、第一漏极、第一栅极绝缘层、第一导线、第一电极和第一半导体，第一栅极绝缘层覆盖第一栅极并与第一基底连接，第一源极和第一漏极设置于第一栅极绝缘层上，第一半导体覆盖第一源极和第一漏极，并与第一导线和第一电极间隔设置，第一导线和第一电极通过第一导电材料与第一半导体连接。由于源极和漏极被半导体所覆盖，所以当对半导体进行图案化蚀刻时，由于半导体的阻隔，源极和漏极不会被蚀刻的氧离子所氧化，导线和电极也不容易被氧化，因此该半导体薄膜晶体管具有较好的元件特性。

主权项

一种半导体薄膜晶体管,其包括第一基底、第一栅极、第一源极、第一漏极和第一栅极绝缘层，所述第一栅极设置于所述第一基底上，所述第一栅极绝缘层覆盖所述第一栅极并与所述第一基底连接，所述第一源极和第一漏极设置于所述第一栅极绝缘层上，其特征在于，所述半导体薄膜晶体管还包括第一导线、第一电极和第一半导体，所述第一导线和第一电极均设置于所述第一栅极绝缘层上方，所述第一半导体覆盖所述第一源极和第一漏极，且所述第一半导体与所述第一导线和第一电极间隔设置，所述第一导线和第一电极通过第一导电材料与所述第一半导体连接。