| 发明名称 | 在半导体基板上制造多晶体半导体电阻的系统和方法 | ||
| 摘要 | 根据本发明的实施例，集成电路可以包括至少一个浅槽隔离场氧化物区域、至少一个哑元扩散层区域、以及多晶体半导体电阻。该至少一个浅槽隔离场氧化物区域可以形成在半导体基板上。该至少一个哑元扩散层区域邻近该至少一个浅槽隔离场氧化物区域形成在半导体基板上。该多晶体半导体电阻可以包括利用多晶体半导体材料形成的至少一个电阻臂的多晶体半导体电阻，其中该至少一个电阻臂形成在该至少一个浅槽隔离场氧化物区域和该至少一个哑元扩散层区域每个上。 | ||
| 申请公布号 | CN105023878A | 申请公布日期 | 2015.11.04 |
| 申请号 | CN201410548958.4 | 申请日期 | 2014.10.16 |
| 申请人 | 美国思睿逻辑有限公司 | 发明人 | 史中海;文斯·蒂姆斯;田洪 |
| 分类号 | H01L21/82(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/82(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人 | 丁纪铁 |
| 主权项 | 一种制造用于集成电路的多晶体半导体电阻的方法，包括：在半导体基板上形成至少一个浅槽隔离场氧化物区域；在半导体基板上形成邻近该至少一个浅槽隔离场氧化物区域的至少一个哑元扩散层区域；以及形成包括用多晶体半导体材料形成的至少一个电阻臂的多晶体半导体电阻，其中该至少一个电阻臂形成在该至少一个浅槽隔离场氧化物区域和该至少一个哑元扩散层区域每个上。 | ||
| 地址 | 美国得克萨斯州奥斯丁 | ||