发明名称 |
选择性催化还原催化剂系统 |
摘要 |
本文提供SCR催化剂系统,其包括布置在所述系统中的第一SCR催化剂组合物和第二SCR催化剂组合物,与所述第二SCR催化剂组合物相比,所述第一SCR催化剂组合物促进更高的N2形成和更低的N<sub>2</sub>O形成,并且所述第二SCR催化剂组合物具有与所述第一SCR催化剂组合物不同的组成,与所述第一SCR催化剂组合物相比,所述第二SCR催化剂组合物促进更低的N<sub>2</sub>形成和更高的N<sub>2</sub>O形成。所述SCR催化剂系统适用于在还原剂存在下催化氮氧化物的还原的方法和系统。 |
申请公布号 |
CN105026038A |
申请公布日期 |
2015.11.04 |
申请号 |
CN201480011133.7 |
申请日期 |
2014.03.13 |
申请人 |
巴斯夫公司 |
发明人 |
W·唐;J·L·莫哈南 |
分类号 |
B01J29/70(2006.01)I;B01J29/72(2006.01)I;B01D53/94(2006.01)I;B01J21/06(2006.01)I;B01J23/22(2006.01)I;B01J23/30(2006.01)I;B01J29/072(2006.01)I;B01J29/76(2006.01)I;B01J29/06(2006.01)I |
主分类号 |
B01J29/70(2006.01)I |
代理机构 |
北京市中咨律师事务所 11247 |
代理人 |
张蓉珺;林柏楠 |
主权项 |
一种选择性催化还原(SCR)催化剂系统,其包括布置在所述系统中的第一SCR催化剂组合物和第二SCR催化剂组合物,与所述第二SCR催化剂组合物相比,所述第一SCR催化剂组合物促进更高的N<sub>2</sub>形成和更低的N<sub>2</sub>O形成,并且所述第二SCR催化剂组合物具有与所述第一SCR催化剂组合物不同的组成,与所述第一SCR催化剂组合物相比,所述第二SCR催化剂组合物促进更低的N<sub>2</sub>形成和更高的N<sub>2</sub>O形成,其中所述第一SCR催化剂组合物和所述第二SCR催化剂组合物为分层关系,并且所述第一SCR催化剂组合物分层在所述第二SCR催化剂组合物的顶部。 |
地址 |
美国新泽西州 |