一种ZnO纳米管阵列的生长方法

摘要

本发明涉及一种ZnO纳米管阵列的生长方法，该方法包括在碱性条件下，以Zn片作为衬底和反应源，通过水热合成法制备ZnO纳米阵列，ZnO纳米管阵列的形成首先在衬底上形成ZnO纳米片，然后纳米片生长成纳米棒，纳米棒中心部位侵蚀，最后侵蚀成为纳米管；本发明水热法不仅生长温度低、成本低，且操作简单，便于大规模生长，仅通过调节生长时间就可以成功实现ZnO纳米管阵列的可控生长，本发明为满足新型设备和产业的发展所需的低成本大规模生产技术的要求带来了希望，为其他纳米材料尺寸可控生长提供了有效后备方法。

主权项

一种ZnO纳米管阵列的生长方法，其特征在于，该方法包括在碱性条件下，在Zn表面通过水热合成法制备ZnO纳米管阵列。