提高中子嬗变掺杂或去应力硅单晶退火后少子寿命的方法

摘要

本发明提供一种提高中子嬗变掺杂或去应力硅单晶退火后少子寿命的方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)腐蚀、冲洗、烘干：将硅单晶用硝酸和氢氟酸进行腐蚀后，用去离子水冲洗后烘干；(2)浸泡：将硅单晶放入五氧化二磷溶液中浸泡；(3)晾干：自然晾干；(4)入炉：将步骤(3)得到的单晶硅放在石英舟中，入热处理炉；(5)通气：向炉内通入氧气；(6)退火。本发明的有益效果是减少了退火过程中金属离子对单晶的沾污，提高了单晶少子寿命。

主权项

一种提高中子嬗变掺杂或去应力硅单晶退火后少子寿命的方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)腐蚀、冲洗、烘干：将硅单晶用硝酸和氢氟酸进行腐蚀，用去离子水冲洗后烘干；(2)浸泡：将硅单晶放入五氧化二磷溶液中浸泡；所述五氧化二磷溶液的浓度为5‑20mg/mL；(3)晾干：自然晾干；(4)入炉：将步骤(3)得到的单晶硅放在石英舟中，入热处理炉；(5)通气：向炉内通入氧气；所述氧气的气流量为2L/min；(6)退火。