一种制备聚偏氟乙烯多孔膜的方法

摘要

一种制备聚偏氟乙烯多孔膜的方法，步骤为：1）首先把聚偏氟乙烯与聚己二酸乙二醇酯混合，使其完全溶解于氮氮二甲基甲酰胺DMF有机溶剂中，在60℃下静置挥发成膜；2）将共混膜在热台上加热熔融，保温10min，消除热历史； 3）将共混熔体以50 ℃/min的速率迅速降温到155℃，在热台上利用聚甲基硅氧烷板快速的对共混熔体施加10⁴～10⁵Pa的剪切应力；4）共混物薄膜在155℃的热台上静置培养；5）将结晶完全的共混物薄膜浸泡在氯仿溶液中，浸泡72h，使聚己二酸乙二醇酯成分蚀刻完全，此时共混物薄膜成分只剩余聚偏氟乙烯晶体，在烘箱中干燥，即得到聚偏氟乙烯多孔膜；工艺简单易行，成本低廉，易于工业化生产应用；孔隙通量高、改善了亲水性和抗污染性。

主权项

一种制备聚偏氟乙烯多孔膜方法，其特征在于，包括有以下步骤：1）首先按照聚偏氟乙烯:聚己二酸乙二醇酯=30～70:30～70的质量百分比混合，使其完全溶解于N,N﹣二甲基甲酰胺（DMF）有机溶剂中，利用旋转成膜法在60℃下静置挥发成膜；2）将共混膜在195℃～205℃的热台上加热熔融，保温10min，消除热历史；3）将步骤2）制备的共混熔体以50 ℃/min的速率迅速降温到155℃，在155℃热台上利用聚甲基硅氧烷板快速的对共混熔体施加10⁴～10⁵Pa的剪切应力；4）共混物薄膜在155℃的热台上静置培养12h～72h；5）将结晶完全的共混物薄膜浸泡在氯仿溶液中，浸泡72h，使聚己二酸乙二醇酯成分蚀刻完全，此时共混物薄膜成分只剩余聚偏氟乙烯晶体，在60℃烘箱中干燥8h，即得到聚偏氟乙烯多孔膜。