发明名称 用于MEMS电容性换能器的低噪声放大器
摘要 本发明涉及用于放大来自MEMS换能器的信号的放大器电路系统。提供一个超级源极跟随器电路(40),该超级源极跟随器电路包括从其输出节点(N<sub>OUT</sub>)至偏置控制节点(BC)的一个反馈路径,以提供一个可大于1的前置放大器信号增益。第一晶体管(M1)被配置为使其栅极节点连接至输入节点(N<sub>IN</sub>)用于接收输入信号(V<sub>IN</sub>)并且其漏极节点连接至输出级(A)的输入节点(X)。第一晶体管的源极节点连接至输出节点(N<sub>OUT</sub>)。电流源(I2)被配置为递送一个电流至第一晶体管(M1)的漏极节点,其中电流源(I2)被偏置控制节点(BC)处的偏置控制电压(V<sub>BC</sub>)所控制。提供一个反馈阻抗网络(Z1),该反馈阻抗网络包括连接至输出节点(N<sub>OUT</sub>)的第一端口和连接至偏置控制节点(BC)的第二端口。
申请公布号 CN105024653A 申请公布日期 2015.11.04
申请号 CN201510221413.7 申请日期 2015.05.04
申请人 思睿逻辑国际半导体有限公司 发明人 S·艾斯特吉曼斯
分类号 H03F1/26(2006.01)I;H03F1/34(2006.01)I;H03F3/45(2006.01)I 主分类号 H03F1/26(2006.01)I
代理机构 北京北翔知识产权代理有限公司 11285 代理人 杨勇;郑建晖
主权项 一种放大器电路,用于在一个输入节点处接收来自MEMS换能器的输入信号并且在一个输出节点处递送一个经放大的输出信号,所述放大器电路包括:一个输出级,具有一个连接至所述输出节点的输出;一个输入级,包括:一个第一晶体管,该第一晶体管的栅极节点连接至所述输入节点,该第一晶体管的源极节点连接至所述输出节点且该第一晶体管的漏极节点连接至所述输出级的一个输入;一个电流源,所述电流源被配置为将一个电流递送至所述第一晶体管的漏极节点,其中所述电流源被偏置控制节点处的一个偏置控制电压所控制;以及一个反馈阻抗网络,包括一个第一端口和一个第二端口,所述第一端口连接至所述输出节点且所述第二端口连接至所述偏置控制节点。
地址 英国爱丁堡