| 发明名称 | 半导体元件的制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开一种半导体元件的制作方法，包含有以下步骤。首先提供一基底，该基底上包含有至少一鳍片(fin)层与多个栅极电极。接下来进行一倾斜与扭转(tilt and twist)离子注入制作工艺，以于该鳍片层内形成多个掺杂区。在形成该多个掺杂区之后，进行一蚀刻制作工艺，以移除该多个掺杂区并于该鳍片层内形成多个凹槽。 | ||
| 申请公布号 | CN105023843A | 申请公布日期 | 2015.11.04 |
| 申请号 | CN201410163083.6 | 申请日期 | 2014.04.22 |
| 申请人 | 联华电子股份有限公司 | 发明人 | 简金城;吴俊元;郭敏郎 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L29/36(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 陈小雯 |
| 主权项 | 一种半导体元件的制作方法，包含有：提供一半导体基底，该半导体基底上包含有至少一鳍片(fin)层与多个栅极电极；进行一倾斜与扭转(tilt and twist)离子注入制作工艺，以于该鳍片层内形成多个掺杂区；以及进行一蚀刻制作工艺，以移除该多个掺杂区并于该鳍片内形成多个凹槽。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹科学工业园区 | ||