发明名称 |
发光二极管封装结构 |
摘要 |
本发明提供一种发光二极管封装结构。本发明的发光二极管封装结构包括承载基座、发光二极管以及静电保护组件。承载基座包括彼此分离的二支架及反射构件。反射构件包覆支架且暴露出每一支架的承载面。反射构件具有凹槽,且凹槽的底面与每一支架的承载面切齐。发光二极管配置于凹槽内且跨接在支架上。静电保护组件配置于凹槽内且跨接在支架上。发光二极管与静电保护组件反向并联。本发明的发光二极管封装结构具有较佳的发光效率与配置方式。 |
申请公布号 |
CN105024002A |
申请公布日期 |
2015.11.04 |
申请号 |
CN201510207772.7 |
申请日期 |
2015.04.28 |
申请人 |
新世纪光电股份有限公司 |
发明人 |
蔡孟庭;李皓钧;林育锋 |
分类号 |
H01L33/60(2010.01)I;H01L33/48(2010.01)I |
主分类号 |
H01L33/60(2010.01)I |
代理机构 |
北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 |
代理人 |
马雯雯;臧建明 |
主权项 |
一种发光二极管封装结构,其特征在于,包括:承载基座,包括彼此分离的二支架以及反射构件,其中所述反射构件包覆该些支架且暴露出各所述支架的承载面,而所述反射构件具有凹槽,且所述凹槽的底面与各所述支架的所述承载面切齐;发光二极管,配置于所述凹槽内,且跨接在所述些支架上;以及静电保护组件,配置于所述凹槽内,且跨接在该些支架上,其中所述发光二极管与所述静电保护组件反向并联。 |
地址 |
中国台湾台南市善化区大利三路5号 |