| 发明名称 | 氮化物半导体晶体及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明制作一种在低温下为高品质的氮化物半导体晶体。该氮化物半导体晶体通过将作为原料的Ⅲ族元素以及/或者其化合物、氮元素以及/或者其化合物、Sb元素以及/或者其化合物供给到基板(105)上，从而使至少一层以上的氮化物半导体膜(104)气相成长而被制备出，其中，在至少一层以上的氮化物半导体晶体膜(104)中，其成长过程中的Sb元素相对于氮元素的供给比为0.004以上。 | ||
| 申请公布号 | CN105027262A | 申请公布日期 | 2015.11.04 |
| 申请号 | CN201480012830.4 | 申请日期 | 2014.03.04 |
| 申请人 | 学校法人名城大学 | 发明人 | 竹内哲也;铃木智行;笹岛浩希;岩谷素顕;赤崎勇 |
| 分类号 | H01L21/205(2006.01)I;C23C16/34(2006.01)I;C30B25/16(2006.01)I;C30B29/38(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/205(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京金信知识产权代理有限公司 11225 | 代理人 | 黄威;苏萌萌 |
| 主权项 | 一种氮化物半导体晶体，其通过将作为原料的Ⅲ族元素以及/或者其化合物、氮元素以及/或者其化合物、Sb元素以及/或者其化合物供给到基板上，从而使至少一层以上的氮化物半导体膜气相成长而被制备出，其特征在于，在至少一层以上的所述氮化物半导体晶体膜中，其成长过程中的所述Sb元素相对于所述氮元素的的供给比为0.004以上。 | ||
| 地址 | 日本爱知县 | ||