| 发明名称 | 氧化物层及氧化物层的制造方法、以及具备该氧化物层的电容器、半导体装置及微机电系统 | ||
| 摘要 | 本发明之一的氧化物层(30)具备由铋(Bi)与铌(Nb)形成的氧化物层(可包含不可避免的杂质)。此外，氧化物层(30)具有烧绿石型结晶结构的结晶相。其结果，能够得到具备使用现有技术未曾得到的高介电常数的包括由铋(Bi)与铌(Nb)形成的氧化物的氧化物层(30)。 | ||
| 申请公布号 | CN105027240A | 申请公布日期 | 2015.11.04 |
| 申请号 | CN201480011233.X | 申请日期 | 2014.01.06 |
| 申请人 | 国立研究开发法人科学技术振兴机构 | 发明人 | 下田达也;德光永辅;尾上允敏;宫迫毅明 |
| 分类号 | H01G4/33(2006.01)I;H01G4/12(2006.01)I;H01L21/316(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I | 主分类号 | H01G4/33(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京北翔知识产权代理有限公司 11285 | 代理人 | 钟守期;杨勇 |
| 主权项 | 一种氧化物层，其具备由铋(Bi)与铌(Nb)形成且可包含不可避免的杂质的氧化物层，所述氧化物层具有烧绿石型结晶结构的结晶相。 | ||
| 地址 | 日本埼玉县川口市 | ||