适用于高温氧化物晶体生长的辅助监测系统

摘要

本发明涉及一种适用于高温氧化物晶体生长的辅助监测系统，包括：夹持籽晶的籽晶夹持单元；设计为与所述籽晶夹持单元和所述籽晶绝缘的生长炉，所述生长炉容纳有用于生长晶体的熔体；以及一端连接到所述籽晶夹持单元，并且另一端连接到所述生长炉的电容监测单元，所述电容监测单元用于在晶体生长过程中监测随着晶体和熔体的相对比例变化而变化的电容值而输出电容信号。在晶体生长过程中，晶体和熔体的比例不断变化，由于熔体和晶体的介电常数不同，晶体生长过程中测得的电容值不同，从而监控电容值可以即时监控晶体和熔体混合物的介电常数，进而推导出晶体和熔体的比例，在一定程度上可即时反馈晶体生长状况，从而可以辅助监控晶体的生长状况。

主权项

一种适用于高温氧化物晶体生长的辅助监测系统，其特征在于，包括：夹持籽晶的籽晶夹持单元；设计为与所述籽晶夹持单元和所述籽晶绝缘的生长炉，所述生长炉容纳有用于生长晶体的熔体；以及一端连接到所述籽晶夹持单元，并且另一端连接到所述生长炉的电容监测单元，所述电容监测单元用于在晶体生长过程中监测随着晶体和熔体的相对比例变化而变化的电容值而输出电容信号，其中，所述辅助监测系统还包括与所述电容监测单元通信连接的数据处理单元，所述数据处理单元将所述电容监测单元输出的电容信号转变为反应晶体生长状况的数据，反应晶体生长状况的数据包括晶体生长速度、晶体体积、和晶体质量；所述辅助监测系统还包括与所述数据处理单元通信连接的用于测量所述熔体的温度的测温单元，所述数据处理单元根据所述测温单元测得的温度校正来自所述电容监测单元的电容信号。