| 发明名称 | 涂有低辐射多层的基底 | ||
| 摘要 | 本发明涉及包含在其至少一个面的至少一部分上涂有薄膜多层的基底（1）的材料，所述薄膜多层包含至少两个基于透明导电氧化物的膜（2，3），所述膜通过至少一个电介质中间膜（4）分隔，所述电介质中间膜的物理厚度为最多50纳米，在所述基于透明导电氧化物的膜（2，3）之间没有沉积金属膜，所述多层进一步包含在距离基底（1）最远的基于透明导电氧化物的膜（2）之上的至少一个氧阻隔膜（6），各个基于透明导电氧化物的膜（2，3）具有20至80纳米的物理厚度。 | ||
| 申请公布号 | CN105026330A | 申请公布日期 | 2015.11.04 |
| 申请号 | CN201480010838.7 | 申请日期 | 2014.02.25 |
| 申请人 | 法国圣戈班玻璃厂 | 发明人 | J.斯特恩许;J.哈根 |
| 分类号 | C03C17/34(2006.01)I;C08J7/00(2006.01)I | 主分类号 | C03C17/34(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 段家荣;杨思捷 |
| 主权项 | 一种材料，包含在其至少一个面的至少一部分上涂有薄膜多层的基底（1），所述薄膜多层包含至少两个基于透明导电氧化物的膜（2，3），所述膜通过至少一个电介质中间膜（4）分隔，所述电介质中间膜的物理厚度为最多50纳米，在所述基于透明导电氧化物的膜（2，3）之间没有沉积金属膜，所述多层进一步包含在距离基底（1）最远的基于透明导电氧化物的膜（2）之上的至少一个氧阻隔膜（6），各个基于透明导电氧化物的膜（2，3）具有20至80纳米的物理厚度。 | ||
| 地址 | 法国库伯瓦 | ||