一种浮栅闪存结构及其制备工艺

摘要

本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种浮栅闪存结构及其制备工艺，包括衬底层，该衬底层包括按照从下至上顺序依次设置的第一有源层、沟道层和第二有源层；还包括贯穿第二有源层、沟道层并延伸至第一有源层中的凹槽以及设置于凹槽中的至少两个包括浮栅和控制栅的栅极结构，且该栅极结构的一端部延伸至第一有源层中，另一端部临近第二有源层设置，以于沟道层中形成垂直沟道；且每个栅极结构均用于构成一个存储单元，从而在不会降低沟道长度以及漏/源的宽度的前提下，有效提高浮栅存储器件的存储密度，且由于一个控制栅控制一个存储单元，使得每个存储单元均可单独进行擦写。

主权项

一种浮栅闪存结构，其特征在于，包括：衬底层，包括按照从下至上顺序依次设置的第一有源层、沟道层和第二有源层；凹槽，贯穿所述第二有源层、所述沟道层并延伸至所述第一有源层中；栅极结构，设置于所述凹槽中，且所述栅极结构的一端部延伸至所述第一有源层中，所述栅极结构的另一端部临近所述第二有源层设置，以于所述沟道层中形成垂直沟道；其中，所述栅极结构包括浮栅、控制栅和ONO层，且所述浮栅垂直于所述沟道层延伸的方向贯穿所述沟道层并延伸至所述第一有源层之中，所述控制栅与所述浮栅平行设置且贯穿所述沟道层，所述ONO层位于所述浮栅与所述控制栅之间，以将所述浮栅与所述控制栅予以隔离。