| 发明名称 | 一种超薄MOSFET芯片封装结构 | ||
| 摘要 | 本实用新型涉及一种超薄MOSFET芯片封装结构，所述封装结构包括MOSFET芯片，所述MOSFET芯片的电极面具有第一层绝缘保护层且露出导通部分，导电线路层被引导到晶圆的沟槽侧壁，第二层绝缘保护层覆盖晶圆电极面上的导电线路层和所述第一层绝缘保护层之上，将需要导通部分暴露出来，在其上制作导电的凸点。 | ||
| 申请公布号 | CN204741017U | 申请公布日期 | 2015.11.04 |
| 申请号 | CN201520533185.2 | 申请日期 | 2015.07.21 |
| 申请人 | 宁波芯健半导体有限公司 | 发明人 | 曹凯;谢皆雷;罗立辉;吴超 |
| 分类号 | H01L23/48(2006.01)I;H01L23/485(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/48(2006.01)I |
| 代理机构 | 余姚德盛专利代理事务所(普通合伙) 33239 | 代理人 | 胡小永 |
| 主权项 | 一种超薄MOSFET芯片封装结构，所述封装结构包括MOSFET芯片(100)，其特征在于，所述MOSFET芯片(100)的电极面具有第一层绝缘保护层(200)且露出导通部分，晶圆的侧壁挖掘出连接到晶圆背面的通孔(300)，且导电线路层(400)被引导通过通孔(300)，第二层绝缘保护层(500)覆盖晶圆电极面上的导电线路层(400)和所述第一层绝缘保护层(200)之上，将需要导通部分暴露出来，在其上制作导电的凸点(600)。 | ||
| 地址 | 315327 浙江省宁波市杭州湾新区庵东工业园区中横路18号 | ||