| 发明名称 | 氧化物半导体溅射靶、用其制造的薄膜晶体管及其制造方法 | ||
| 摘要 | 用于沉积具有高的电子迁移率和高的操作可靠性的薄膜的氧化物半导体溅射靶、使用该氧化物半导体溅射靶制造薄膜晶体管（TFT）的方法和使用该氧化物半导体溅射靶制造的TFT。该氧化物半导体溅射靶在TFT上沉积有源层的溅射工艺中使用。该氧化物半导体溅射靶由基于含有铟（In）、锡（Sn）、镓（Ga）和氧（O）的组合物的材料制成。该方法包括用上述氧化物半导体溅射靶沉积有源层的步骤。该薄膜晶体管可用在诸如液晶显示器（LCD）或有机发光显示器（OLED）的显示装置中。 | ||
| 申请公布号 | CN103451607B | 申请公布日期 | 2015.11.04 |
| 申请号 | CN201310213423.7 | 申请日期 | 2013.05.31 |
| 申请人 | 三星康宁先进玻璃有限责任公司 | 发明人 | 河真珠;李承柱;吴珠惠;赵耀翰;朴柱玉;孙仁成;李炯录;韩镇宇 |
| 分类号 | C23C14/34(2006.01)I;C23C14/08(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I | 主分类号 | C23C14/34(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人 | 康泉;王珍仙 |
| 主权项 | 一种氧化物半导体溅射靶，在沉积薄膜晶体管的有源层的溅射工艺中使用，所述氧化物半导体溅射靶包含基于含有铟(In)、锡(Sn)、镓(Ga)和氧(O)的组合物的材料，其中，所述组合物包含氧化镓、氧化锡和氧化铟，相对于总的In+Ga+Sn，所述In、所述Ga和所述Sn的含量比为大于60原子％且小于等于70原子％、10原子％至25原子％和5原子％至30原子％。 | ||
| 地址 | 韩国忠清南道 | ||