发明名称 |
一种低表面复合背面电极太阳能电池的制备方法 |
摘要 |
本发明公开了一种低表面复合背面电极太阳能电池的制备方法,包括以下步骤:a)对硅片依次进行制绒、热扩散制p-n结、硅片背面抛光和去磷硅玻璃;b)在所述硅片正面进行PECVD镀膜,形成SiNx减反膜;c)在硅片背面印刷纳米硅浆料,形成纳米硅电极;d)将纳米硅电极在700-850℃的烧结炉中进行快速烧结后在所述纳米硅电极下的硅片背面形成P+硅。e)在纳米硅电极上制备Ag背电极;f)在硅片背面制备Al背电场;g)硅片正面制备Ag正电极;h)对硅片进行高温烧结形成太阳能电池。与现有技术相比,本发明具有能在降低背面电极电阻的同时,也能大大降低了硅片背面的载流子复合速率,将电池的转换效率提升的优点。 |
申请公布号 |
CN105023971A |
申请公布日期 |
2015.11.04 |
申请号 |
CN201510422789.4 |
申请日期 |
2015.07.18 |
申请人 |
广东爱康太阳能科技有限公司 |
发明人 |
石强;秦崇德;方结彬;黄玉平;何达能;陈刚 |
分类号 |
H01L31/18(2006.01)I;H01L31/0224(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/18(2006.01)I |
代理机构 |
佛山市中迪知识产权代理事务所(普通合伙) 44283 |
代理人 |
张伶俐 |
主权项 |
一种低表面复合背面电极太阳能电池的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:a)对硅片依次进行制绒、热扩散制p‑n结、硅片背面抛光和去磷硅玻璃;b)在所述硅片正面进行PECVD镀膜,形成SiNx减反膜;c)在硅片背面印刷纳米硅浆料,形成纳米硅电极;d)将纳米硅电极在700‑850℃的烧结炉中进行快速烧结后在所述纳米硅电极下的硅片背面形成P+硅。e)在纳米硅电极上制备Ag背电极;f)在硅片背面制备Al背电场;g)硅片正面制备Ag正电极;h)对硅片进行高温烧结形成太阳能电池。 |
地址 |
528100 广东省佛山市三水工业园区C区69号 |