| 发明名称 | 存储器元件的形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种存储器元件的形成方法，包括：在一第一电极上形成一电阻转换层；在该电阻转换层上形成一第二电极；对该电阻转换层提供一形成电压使该电阻转换层的电阻变小；在提供该形成电压后，对该电阻转换层提供一初始重置电压使该电阻转换层的电阻变大；在提供该初始重置电压后，对该电阻转换层提供一第一设定电压，使该电阻转换层的电阻变小；在提供该第一设定电压后，对该电阻转换层提供一第二重置电压，使该电阻转换层的电阻变大；以及在提供该第二重置电压后，对该电阻转换层提供一第二设定电压，使该电阻转换层的电阻变小，其中，该第二设定电压小于该第一设定电压。本发明提高了电阻式非易失性存储器的合格率与效率。 | ||
| 申请公布号 | CN105024010A | 申请公布日期 | 2015.11.04 |
| 申请号 | CN201410151323.0 | 申请日期 | 2014.04.16 |
| 申请人 | 华邦电子股份有限公司 | 发明人 | 林孟弘;吴伯伦 |
| 分类号 | H01L45/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L45/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人 | 汤在彦 |
| 主权项 | 一种存储器元件的形成方法，其特征在于，包括： 在一第一电极上形成一电阻转换层； 在该电阻转换层上形成一第二电极； 对该电阻转换层提供一形成电压使该电阻转换层的电阻变小； 在提供该形成电压后，对该电阻转换层提供一初始重置电压使该电阻转换层的电阻变大； 在提供该初始重置电压后，对该电阻转换层提供一第一设定电压，使该电阻转换层的电阻变小； 在提供该第一设定电压后，对该电阻转换层提供一第二重置电压，使该电阻转换层的电阻变大；以及 在提供该第二重置电压之后，对该电阻转换层提供一第二设定电压，使该电阻转换层的电阻变小，其中，该第二设定电压小于该第一设定电压。 | ||
| 地址 | 中国台湾台中市 | ||