硅基低漏电流双固支梁可动栅锁相环电路

摘要

本发明的硅基低漏电流双固支梁可动栅MOSFET锁相环电路，由硅衬底，N型增强型MOSFET，外接的低通滤波器，压控振荡器，高频扼流圈构成。MOSFET的栅极是两个悬浮在栅氧化层上的固支梁，由直流偏置控制，下拉电压设计为MOSFET的阈值电压，参考信号和反馈信号分别加载到两个固支梁可动栅上。当两个固支梁可动栅均悬浮不与栅氧化层接触时，MOSFET截止，栅电容较小，能够减小栅极漏电流。当两个固支梁可动栅均下拉与栅氧化层接触时，MOSFET导通，参考信号和反馈信号经MOSFET相乘输，漏极输出包含两信号的相位差信息，通过低通滤波器和压控振荡器反馈循环实现相位锁定。下拉单个固支梁可动栅，可实现对单个信号的放大，电路具有多功能。

主权项

一种硅基低漏电流双固支梁可动栅锁相环电路，其特征在于该锁相环电路MOSFET为N型增强型MOSFET，生长在硅衬底(1)上，包括源极(2)，漏极(3)，栅氧化层(4)，锚区(5)，固支梁可动栅(6)，下拉极板(7)，绝缘层(8)，通孔(9)，引线(10)，源极(2)接地；MOSFET的栅极采用两个悬浮在栅氧化层(4)之上的固支梁可动栅(6)，固支梁可动栅(6)的两端固定在锚区(5)上，设置在硅衬底(1)上的下拉极板(7)设置在锚区(5)和栅氧化层(4)之间，绝缘层(8)覆盖在下拉极板(7)上，引线(10)通过通孔(9)分别与包括源极(2)、漏极(3)连接，固支梁可动栅(6)由直流偏置控制，直流偏置通过锚区(5)作用在固支梁可动栅(6)上，固支梁可动栅(6)的下拉电压设计为MOSFET的阈值电压；MOSFET的漏极(3)输出信号有两种不同的工作方式，一种是选择第一端口(11)接入低通滤波器、低通滤波器输出接入压控振荡器，压控振荡器输出选择第三端口(13)作为反馈信号通过锚区(5)加载到一个固支梁可动栅(6)上，与MOSFET形成反馈回路，参考信号通过锚区(5)加载到另一个固支梁可动栅(6)上，MOSFET的漏极(3)输出信号的另一种工作方式是选择第二端口(12)直接输出放大信号。