发明名称 |
带电粒子束照射位置的校正程序、带电粒子束照射位置的校正量运算装置、带电粒子束照射系统、带电粒子束照射位置的校正方法 |
摘要 |
本发明提供了一种能够准确校正带电粒子束的照射位置并提高描绘图案的位置精度的带电粒子束照射位置的校正程序、带电粒子束照射位置的校正量运算装置、带电粒子束照射系统以及带电粒子束照射位置的校正方法。电子束照射位置的校正程序的特征在于,使控制部(22)作为以下单元而发挥作用:电荷密度分布运算单元,将抗蚀剂的带电替换为抗蚀剂(R)与掩模基板(M)的界面的表面电荷,并对替换成的表面电荷的电荷密度分布进行运算;轨道运算装置,基于电荷密度分布对带电粒子的轨道进行运算;误差量运算装置,基于带电粒子的轨道对电子束的照射位置的误差量进行运算;以及照射位置校正量运算装置,基于误差量对电子束照射位置的校正量进行运算。 |
申请公布号 |
CN105027260A |
申请公布日期 |
2015.11.04 |
申请号 |
CN201480012525.5 |
申请日期 |
2014.01.22 |
申请人 |
大日本印刷株式会社 |
发明人 |
大川洋平;小泽英则 |
分类号 |
H01L21/027(2006.01)I;G03F7/20(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/027(2006.01)I |
代理机构 |
北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 |
代理人 |
田喜庆;吴孟秋 |
主权项 |
一种带电粒子束照射位置的校正程序,用于对照射到涂覆有抗蚀剂的被加工体上的带电粒子束的照射位置进行校正,其特征在于,使计算机作为以下单元而发挥作用:电荷密度分布运算单元,将由照射所述带电粒子束而引起的所述抗蚀剂的带电替换为所述抗蚀剂与所述被加工体的界面的表面电荷,并对替换成的表面电荷的每个网格的电荷密度分布进行运算;轨道运算单元,基于所述电荷密度分布对从所述带电粒子束的出射位置到所述抗蚀剂的表面为止的带电粒子的轨道进行运算;误差量运算单元,基于算出的所述轨道对所述带电粒子束的照射位置的误差量进行运算;以及照射位置校正量运算单元,基于算出的所述误差量对所述带电粒子束的照射位置的校正量进行运算。 |
地址 |
日本东京 |