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发明名称 CMP CMP SLURRY COMPOSITION AND POLISHING METHOD USING THE SAME
摘要 <p>본 발명은 CMP 슬러리 조성물 및 이를 이용한 연마 방법에 관한 것이다. 상기 CMP 슬러리 조성물은 금속 산화물 입자; 디이소시아네이트 화합물; 및 초순수를 포함하며, 상기 디이소시아네이트 화합물은 양이온성 디이소시아네이트 화합물 및 음이온성 디이소시아네이트 화합물중에서 하나 이상 포함할 수 있다.</p>
申请公布号 KR101566068(B1) 申请公布日期 2015.11.04
申请号 KR20130015479 申请日期 2013.02.13
申请人 发明人
分类号 C09K3/14;H01L21/304 主分类号 C09K3/14
代理机构 代理人
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