| 发明名称 | 复合接触插塞结构及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了示例性接触插塞，其包括双层结构和位于双层结构的侧壁和底面上的扩散阻挡层。该双层结构包括导电核芯和位于导电核芯的侧壁和底面上的导电衬垫。在示例性接触插塞中，导电衬垫包括钴或钌。本发明还提供了复合接触插塞结构的制造方法。 | ||
| 申请公布号 | CN105023908A | 申请公布日期 | 2015.11.04 |
| 申请号 | CN201410503373.0 | 申请日期 | 2014.09.26 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 林瑀宏;林圣轩;张志维;周友华;许嘉麟 |
| 分类号 | H01L23/522(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/522(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人 | 章社杲;李伟 |
| 主权项 | 一种接触插塞，包括：双层结构，包括：导电核芯；以及导电衬垫，位于所述导电核芯的侧壁和底面上，其中，所述导电衬垫包括钴或钌；以及扩散阻挡层，位于所述双层结构的侧壁和底面上。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹 | ||