一种存储器元件及其制作方法

摘要

本发明公开了一种存储器元件及其制作方法，该存储器元件包括一串接存储单元阵列，包括：由绝缘材质所分离的多个导电条纹的多个叠层，包括至少由多个导电条纹所构成的一底部阶层、由多个导电条纹所构成的多个中间阶层、以及由多个导电条纹所构成的一顶部阶层；多个垂直有源条纹，位于这些叠层之间；多个电荷储存结构，位于这些叠层中的这些中间阶层的这些导电条纹的多个侧壁表面，与这些垂直有源条纹之间的多个交错处的接口区中；以及一栅介电层，具有与这些电荷储存结构相异的材质，且位于该顶部阶层的这些导电条纹和该底部阶层的这些导电条纹二者至少一者的多个侧壁表面，与这些垂直有源条纹之间的多个交错处的接口区中。

主权项

一种存储器元件，包括一串接存储单元阵列，包括：由绝缘材质所分离的多个导电条纹的多个叠层，包括至少由多个导电条纹所构成的一底部阶层、由多个导电条纹所构成的多个中间阶层、以及由多个导电条纹所构成的一顶部阶层；多个垂直有源条纹，位于这些叠层之间；多个电荷储存结构，位于这些叠层中的这些中间阶层的这些导电条纹的多个侧壁表面，与这些垂直有源条纹之间的多个交错处的接口区中；以及一栅介电层，具有与这些电荷储存结构相异的材质，且位于该顶部阶层的这些导电条纹和该底部阶层的这些导电条纹二者至少一者的多个侧壁表面，与这些垂直有源条纹之间的多个交错处的接口区中。