发明名称 |
シリコンカーバイドデバイス用の拡散接合終端構造及びこれを組み込むシリコンカーバイドデバイスの製造方法 |
摘要 |
An electronic device includes a silicon carbide layer having a first conductivity type and a main junction adjacent a surface of the silicon carbide layer, and a junction termination region at the surface of the silicon carbide layer adjacent the main junction. Charge in the junction termination region decreases with lateral distance from the main junction, and a maximum charge in the junction termination region may be less than about 2×1014 cm−2. |
申请公布号 |
JP5804602(B2) |
申请公布日期 |
2015.11.04 |
申请号 |
JP20120510804 |
申请日期 |
2010.03.09 |
申请人 |
クリー インコーポレイテッドCREE INC.;ユニヴァーシティー オブ サウスカロライナ |
发明人 |
ザン キンチュン;アガワル アナント ケイ;スダルシャン タンガリ エス;ボロトニコフ アレクサンデル |
分类号 |
H01L29/06;H01L21/265;H01L21/329;H01L29/78;H01L29/861;H01L29/868;H01L29/872 |
主分类号 |
H01L29/06 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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