发明名称 |
固态摄像元件和摄像设备 |
摘要 |
这里所公开的是固态摄像元件,其包括:光电转换区域;晶体管;第一导电类型的隔离区域,构造为使光电转换区域和晶体管彼此隔离;第一导电类型的阱区域,在其中形成有光电转换区域、晶体管以及隔离区域;接触部分,形成在隔离区域上,构造为提供用于将阱区域固定到给定电势的电势;以及第一导电类型的杂质区域,形成为在接触部分和光电转换区域之间的第一导电类型的隔离区域中自第一导电类型的隔离区域的表面沿深度方向延伸,并且第一导电类型的该杂质区域的杂质浓度比第一导电类型的隔离区域的杂质浓度足够地高。 |
申请公布号 |
CN102208420B |
申请公布日期 |
2015.11.04 |
申请号 |
CN201110068094.2 |
申请日期 |
2011.03.22 |
申请人 |
索尼公司 |
发明人 |
山川真弥 |
分类号 |
H01L27/146(2006.01)I;H04N5/374(2011.01)I;H04N5/225(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/146(2006.01)I |
代理机构 |
北京市柳沈律师事务所 11105 |
代理人 |
彭久云 |
主权项 |
一种固态摄像元件,包括:光电转换区域,提供在每个像素中;晶体管,为每个所述像素的所述光电转换区域而提供;第一导电类型的隔离区域,构造为使所述光电转换区域和所述晶体管彼此隔离;第一导电类型的阱区域,在该第一导电类型的阱区域中形成有所述光电转换区域、所述晶体管以及所述第一导电类型的隔离区域;接触部分,形成在所述第一导电类型的隔离区域上,构造为提供用于将所述第一导电类型的阱区域固定到给定电势的电势;以及第一导电类型的杂质区域,形成为在所述接触部分和所述光电转换区域之间的所述第一导电类型的隔离区域中自所述第一导电类型的隔离区域的表面沿深度方向延伸,并且该第一导电类型的杂质区域的杂质浓度比所述第一导电类型的隔离区域的杂质浓度高,其中所述晶体管至少包括传输晶体管和放大晶体管,并且除所述传输晶体管之外的晶体管形成为被多个像素的所述光电转换区域所共用,所述第一导电类型的杂质区域形成的平面图案包括围绕所述晶体管的第二导电类型的区域和所述接触部分的图案。 |
地址 |
日本东京都 |