IGBT集电极结构

摘要

本发明提供一种IGBT集电极结构，包括N-型基区，还包括在N-型基区的背面形成的间隔分布N+型区域层，以及在N-型基区的背面，上述间隔分布N+型区域层未覆盖区域形成的间隔分布P+型集电极层。所述间隔分布N+型区域层是由五价元素在N-型基区的背面间隔注入后，并且跟随着经历了N-型基区的正面的所有热过程后形成。或者所述间隔分布N+型区域层是通过在N-型基区的背面外延生长一层N+型层，然后通过间隔刻蚀后，并且跟随着经历了N-型基区的正面的所有热过程后得到。本发明用于形成IGBT的集电极结构。

主权项

一种IGBT集电极结构的制造方法，包括N‑型基区(3)，及在N‑型基区(3)的背面形成的间隔分布N+型区域层(5)，以及在N‑型基区(3)的背面，上述间隔分布N+型区域层(5)未覆盖区域形成的间隔分布P+型集电极层(6)；其特征在于：(a)首先将未减薄的N‑型硅圆片作为衬底材料；(b)其次，将衬底减薄后作为N‑型基区（3），在N‑型基区（3）的背面间隔地注入五价元素；由于在这一步不进行退火，注入的五价元素形成的间隔分布N+型浅层（4）还只是停留在N‑型基区（3）背面的表面很小薄层内；(c)然后，在对N‑型基区（3）的背面进行保护后，对于N‑型基区（3）的正面进行完整的工艺处理，其中包含热过程；步骤(b)中形成的N‑型基区（3）背面的间隔分布N+型浅层（4）跟随着经历了N‑型基区（3）的正面的所有热过程，形成了间隔分布N+型区域层（5）；由于退火足够充分，间隔分布N+型区域层（5）能够较为深入N‑型基区（3）背面；(d)最后，对N‑型基区（3）的正面保护后，在N‑型基区（3）的背面，上述间隔分布N+型区域层（5）未覆盖区域，将三价元素间隔地注入，随后经过低温退火或者激光退火，形成所述间隔分布P+型集电极层（6）。