发明名称 一种半导体三极管放大倍数脉冲测试方法
摘要 本发明公开了一种半导体三极管放大倍数脉冲测试方法,属于半导体测试领域。其步骤包括:一、设立初始的恒压源电压;二、设立初始基极电流脉冲;三、对恒压源进行补偿;四、对基极电流进行补偿;五、判断静态工作点的准确性;六、设立正确静态工作点的恒压源电压;七、设立正确静态工作点的标准基极脉冲;八、对恒压源进行细微补偿;九、对基极电流进行细微补偿;十、计算放大倍数平均值。本发明能够在相关规定的时间内完成脉冲测试,极大的减少了管芯升温,并且本方法不是硬件闭环测试方法,将不易产生寄生振荡,且在技术上容易实现,成本低。
申请公布号 CN105021969A 申请公布日期 2015.11.04
申请号 CN201510404461.X 申请日期 2015.07.10
申请人 湘潭大学 发明人 罗光明;陈彦翔
分类号 G01R31/26(2014.01)I 主分类号 G01R31/26(2014.01)I
代理机构 代理人
主权项 一种用于测试半导体三极管的放大倍数的测试方法,其特征在于,至少包括以下步骤:步骤一、设立初始的恒压源电压;步骤二、设立初始基极电流脉冲;步骤三、对恒压源进行补偿;步骤四、对基极电流进行补偿;步骤五、判断静态工作点的准确性;步骤六、设立正确静态工作点的恒压源电压;步骤七、设立正确静态工作点的标准基极脉冲;步骤八、对恒压源进行细微补偿;步骤九、对基极电流进行细微补偿;步骤十、计算放大倍数平均值。
地址 411105 湖南省湘潭市雨湖区羊牯塘27号湘潭大学