| 发明名称 | 生长氮化物单晶体的方法和制造氮化物半导体器件的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了生长氮化物单晶体的方法和制造氮化物半导体器件的方法。一种生长III族氮化物晶体的方法包括以下步骤：在硅基底上形成缓冲层以及在缓冲层上生长III族氮化物晶体。通过其中提供III族金属源和氮源气体的金属有机化学气相沉积(MOCVD)来执行生长III族氮化物晶体的方法。氮源气体包括氢(H<sub>2</sub>)以及包括氨(NH<sub>3</sub>)和氮(N<sub>2</sub>)中的至少一种。可在其中氢在氮源气体中的体积分数的范围为20％至40％并且硅基底的温度范围为950℃至1040℃的条件下执行生长III族氮化物晶体的操作的至少一部分阶段。 | ||
| 申请公布号 | CN105023829A | 申请公布日期 | 2015.11.04 |
| 申请号 | CN201510202044.7 | 申请日期 | 2015.04.24 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 威廉·索拉里;金敏浩;李宪昊 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I;H01L33/00(2010.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人 | 张帆;井杰 |
| 主权项 | 一种生长III族氮化物半导体的方法，包括以下步骤：将含硅的基底保持在950℃至1040℃的温度；以及通过将金属源气体与氢的体积分数在20％至40％范围内的氮源气体同时提供至具有所述基底的反应室的内部，同时将所述基底保持在所述温度，来生长III族氮化物半导体。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||