可减少MEMS键合过程中铝锗键合桥连的结构

摘要

本发明提出了一种可减少MEMS键合过程中铝锗键合桥连的结构。在现有技术的基础上，将由多个单通孔进行上下层金属层连接的通孔，改成围绕键合结构的环状通孔结构，并且形成预定深度和宽度。后续形成再分布层不会填充满环状的通孔，并且还会存在凹槽中。在进行Al和Ge键合时，由于压力的存在，半融的再分布层流出时，需要填充满环形通孔的形成的凹槽，然后才能流出，从而对流出的再分布层起到阻挡的作用，减少相邻的器件之间形成桥连的可能性，进而影响器件的性能。

主权项

一种可减少MEMS键合过程中铝锗键合桥连的结构，其特征在于，包括：CMOS器件晶圆，在所述CMOS器件晶圆上形成介质层及再分布层，其中，所述再分布层形成在所述介质层上，并通过通孔与CMOS器件晶圆上的CMOS器件相连，所述通孔具有预定深度和宽度，形成在所述介质层内，并首尾相连形成环状，在键合时阻挡再分布层的流出。