| 发明名称 | 静电电容型压力传感器及输入装置 | ||
| 摘要 | 在由半导体构成的固定电极(32)的上表面形成介电层(33)。通过使介电层(33)的表面的一部分凹陷，在介电层(33)的表面形成凹槽(33a)。在介电层(33)的上表面层叠上基板(35a)以覆盖凹槽(33a)。上基板(35a)中位于凹槽(33a)上方的薄膜状的部分是能够因压力而弯曲的导电性膜片(35)。固定电极(32)的至少上表面的杂质浓度为2.00×10<sup>17</sup>cm<sup>-3</sup>以上且2.10×10<sup>19</sup>cm<sup>-3</sup>以下。 | ||
| 申请公布号 | CN105026904A | 申请公布日期 | 2015.11.04 |
| 申请号 | CN201480012015.8 | 申请日期 | 2014.03.04 |
| 申请人 | 欧姆龙株式会社 | 发明人 | 井上胜之 |
| 分类号 | G01L9/00(2006.01)I;H01L29/84(2006.01)I | 主分类号 | G01L9/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人 | 金相允 |
| 主权项 | 一种静电电容型压力传感器，其特征在于，具有：固定电极，其由半导体构成，介电层，其形成在所述固定电极的上方，以及膜片，其隔着空隙形成在所述介电层的上方；所述固定电极的至少上表面的杂质浓度为2.00×10<sup>17</sup>cm<sup>‑3</sup>以上且2.10×10<sup>19</sup>cm<sup>‑3</sup>以下。 | ||
| 地址 | 日本京都府京都市 | ||