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<p>본 발명은 기판의 하면 에칭이 가능한 반도체 기판 처리 장치 및 이를 이용한 반도체 기판 처리 방법으로서, 반도체 기판 처리 장치에 있어서, 화학적 반응 공간을 제공하는 공정 챔버; 상기 반응 공간 내에 위치되고, 반도체 기판이 놓이는 안착면을 가지며, 상기 안착면에 반도체 기판의 하면으로 에칭 가스를 분출하는 가스 분출부가 형성된 서셉터 바디; 및 상기 서셉터 바디를 지지하며, 상기 가스 분출부로 에칭 가스를 공급하는 가스 공급관이 형성된 서셉터 샤프트를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판의 하면 에칭이 가능한 반도체 기판 처리 장치와 이를 이용하여 반도체 기판을 에칭하는 방법이며, 이와 같은 본 발명에 의하면 질소 분위기를 유도할 수 있는 반도체 성장 장치에서 염산(HCl) 가스 또는 염소(Cl) 가스 등의 에칭 가스를 이용하여 선택적으로 반도체 기판의 상부 또는 하면을 에칭하거나 나아가서 반도체 기판의 상부와 하면을 동시에 에칭함으로써 반도체 소자 또는 반도체 기판을 보다 효율적으로 제조할 수 있게 된다.</p> |
