发明名称 GAS SUPPLY APPARATUS FOR SEMICONDUCTOR MANUFACTURING APPARATUS
摘要 <p>(과제) 각 처리 반응로마다 압력식 유량 제어기를 설치할 필요가 없고, 그리고 압력식 유량 제어기를 콤팩트한 구조로 형성할 수 있는 가스 공급 장치(10)를 제공한다. (해결 수단) 가스 공급 장치(10)는 가스 공급원(11a, 11b)과, 가스 도입관(13a, 13b)과, 가스 집합관(15)과, 복수의 분기관(21a, 21b)을 구비하고 있다. 가스 집합관(15)과 분기관(21a, 21b)에, 압력식 유량 제어기(30)가 설치되어 있다. 압력식 유량 제어기(30)는 가스 집합관(15)에 설치된 압력 검출기(17)와, 분기관(21a, 21b)에 설치된 컨트롤 밸브(23a, 23b) 및 오리피스(22a, 22b)를 갖고 있다. 압력 검출기(17)로부터의 검출 압력(P)에 기초하여, 유량 연산 회로(40)에 있어서 유량(Qc)이 구해지고, 유량 설정 회로(52)로부터의 유량 설정 신호(Qs)와 유량 연산 회로(40)로부터의 유량(Qc)에 기초하여 연산 제어 회로(58)에 의해 컨트롤 밸브(23a, 23b)가 제어된다.</p>
申请公布号 KR101565437(B1) 申请公布日期 2015.11.03
申请号 KR20110039862 申请日期 2011.04.28
申请人 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 发明人 오카베 츠네유키
分类号 H01L21/02;H01L21/205;H01L21/3065 主分类号 H01L21/02
代理机构 代理人
主权项
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