发明名称 Single Chip Type Semiconductor Light Emitting Device with Thermoconductive Substrate
摘要 <p>본 발명은 우수한 전류 분산 효과를 나타내면서, 열전도성이 우수한 하부 기판을 구비하여 열방출이 용이한 신규 반도체 발광소자의 구조에 관한 것이다. 본 발명의 반도체 발광소자는 반도체층을 통하여 흐르는 전류를 고르게 분산하면서도, 메사 식각 등으로 인한 활성층의 손실을 최소화하여 유효 발광 면적을 넓힐 수 있다. 또한 하부에 열 전도성이 우수한 기판이 구비됨에 따라 반도체층에서 발생하는 열이 효율적으로 방출되어 소자의 내구성이 향상된다.</p>
申请公布号 KR101565122(B1) 申请公布日期 2015.11.02
申请号 KR20120124027 申请日期 2012.11.05
申请人 发明人
分类号 H01L33/36 主分类号 H01L33/36
代理机构 代理人
主权项
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