首页 产品 黄页 商标 征信
会员服务 注册 登录 
全部
 |
企业名
 |
法人/股东/高管
 |
品牌/产品
 |
地址
 |
经营范围
发明名称 OPTIMIZATION OF VARIABLE RESISTANCE MEMORY CELLS
摘要 <p>데이터 스토리지 디바이스는 일반적으로 제어기에 의해 비-출하 동작 파라미터들을 갖도록 구성된 적어도 하나의 가변적 저항 메모리 셀으로 구성되고 동작될 수 있다. 비-출하 동작 파라미터들은 적어도 하나의 가변적 저항 메모리 셀에서 미리 결정된 임계값으로부터 식별된 변화량에 응답하여 할당된다.</p>
申请公布号 KR101564573(B1) 申请公布日期 2015.11.02
申请号 KR20140012596 申请日期 2014.02.04
申请人 发明人
分类号 G11C13/00;G11C16/34 主分类号 G11C13/00
代理机构 代理人
主权项
地址
您可能感兴趣的专利
©  2024 传众  czvv.com