发明名称 TECHNIQUES FOR CLAMPING AND DECLAMPING A SUBSTRATE
摘要 플래튼으로부터 웨이퍼를 클램핑 및 디클램핑하는 방법들이 개시된다. 플래튼은 웨이퍼를 플래튼에 정전기적으로 클램프하기 위해서 전기적으로 바이어스되는 하나 이상의 전극들을 포함한다. 전극은 웨이퍼가 프로세스 될 수 있는 제 1 전압으로 바이어스 된다. 그 후에, 하나 이상의 전압들이 전극들에 이어서 인가된다. 일부 실시예들에서, 각각의 후속 전압은 앞에서 인가된 전압보다 작다. 다른 실시예들에서, 후속 전압들 중 하나 이상은 앞에서 인가된 전압보다 더 클 수 있다. 전압의 이 시퀀스는 제거 프로세스 동안에 웨이퍼가 플래튼에 들러붙거나 또는 고착할 가능성을 줄일 수 있다.
申请公布号 KR20150122725(A) 申请公布日期 2015.11.02
申请号 KR20157026326 申请日期 2014.02.19
申请人 베리안 세미콘덕터 이큅먼트 어소시에이츠, 인크. 发明人 구, 일웅;현, 성환
分类号 H01L21/683 主分类号 H01L21/683
代理机构 代理人
主权项
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