| 摘要 |
不揮発性ソリッドステートメモリデバイス（１４）等の装置は、一部の実装例では、モード情報に応じて、メモリコア（３２）の非選択アクセス線（複数可）に関するバイアスレベルを設定するためのアクセス線バイアス回路部（３０）を含み得る。一手法では、アクセス線バイアス回路部（３０）は、メモリコア（３２）の非選択アクセス線の電圧レベルを変更するための線形ダウンレギュレーションを用い得る。メモリの電力消費を管理するために、メモリデバイス（１４）のメモリコア（３２）の動作モードを動的に設定可能なホストプロセッサ（１２）等の、メモリアクセスデバイスが提供され得る。他の装置および方法も提供される。【選択図】図１ |
