发明名称 LOW CONTAMINATION LOW ENERGY BEAMLINE ARCHITECTURE FOR HIGH CURRENT ION IMPLANTATION
摘要 <p>비임 경로를 따라 이온 비임을 발생하는 이온 소스, 이온 비임의 질량 분석 및 각도 정정을 수행하는 이온 소스의 하류부의 질량 분석기 부품, 선택된 질량 분해능 및 입사 궤적에 따른 크기 및 형상을 가지는 비임 경로를 따라 질량 분석기 부품의 하류부의 하나 이상의 전극을 포함하는 분해 통공 전극, 편형 소자로부터 방출되는 이온 비임의 경로를 변화시키는 분해 통공 전극의 하류부의 편향 소자, 하전된 이온으로 주입되는 공작물을 유지 및 위치시키기 위한 엔드 스테이션 내의 지지 플랫폼을 포함하며 엔드 스테이션은 편향된 이온 비임이 가공물에 대해 수직하도록 반시계방향으로 약 8도로 장착된다.</p>
申请公布号 KR101564898(B1) 申请公布日期 2015.11.02
申请号 KR20107026321 申请日期 2009.04.23
申请人 发明人
分类号 H01J37/317;H01L21/265 主分类号 H01J37/317
代理机构 代理人
主权项
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