发明名称 |
电压控制电路及半导体记忆装置 |
摘要 |
根据本发明之实施形态,提供一种具有第1 NMOS电晶体、第2 NMOS电晶体、运算放大器及调整电路之电压控制电路。第1 NMOS电晶体其汲极连接于输入节点侧之第1节点,源极连接于输出节点侧之第2节点,闸极经由第3节点连接于上述第1节点。第2 NMOS电晶体其汲极连接于第3节点,源极连接于第1基准电位。运算放大器其非反转输入端子连接于第2节点与第2基准电位之间之参照节点,反转输入端子连接于参照电位,输出端子连接于第2 NMOS电晶体之闸极。调整电路系于输出节点之电位超过目标值之情形时形成自第1线向第2线之放电路径。第1线系连接第1 NMOS电晶体之源极及第2节点之线。第2线系连接第3节点及第2 NMOS电晶体之汲极之线。 |
申请公布号 |
TW201541464 |
申请公布日期 |
2015.11.01 |
申请号 |
TW103114554 |
申请日期 |
2014.04.22 |
申请人 |
东芝股份有限公司 KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA |
发明人 |
森山亘 MORIYAMA, WATARU;源贵利 MINAMOTO, TAKATOSHI |
分类号 |
G11C7/12(2006.01);G11C8/08(2006.01) |
主分类号 |
G11C7/12(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
陈长文 |
主权项 |
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地址 |
日本 JP |