金属氧化物半导体装置结构用之鳍状物的形成方法

主权项

一种装置制造方法，包括：在基板上形成矽鳍状物；形成第一介电层于该基板上且相邻于该矽鳍状物，使得该矽鳍状物的上侧区域被曝露出；在该矽鳍状物的该上侧区域上磊晶地生长锗，其中，形成该第一介电层于该基板上包括：沈积该第一介电层于该基板上；以及使该第一介电层凹陷，以使该矽鳍状物的该上侧区域被曝露出；沈积第二介电层于该基板上；使该第二介电层凹陷，以使该矽鳍状物的上侧表面被曝露出；以及选择性地蚀刻该矽鳍状物之该曝露出的上侧表面至该第二介电层的上侧区域及该锗的上侧区域之下的凹陷层级。